3. IKZ - Sommerschule Kristallzüchtung 2008


Im Juni 2008 fand zum dritten Mal der "IKZ-Sommerkurs zu Wachstum und Züchtung von Kristallen" statt, der sich allmählich zu einer geschätzten Tradition entwickelt. Der Kurs ist hauptsächlich als Weiterbildungsveranstaltung für die IKZ-Mitarbeiter gedacht, er wird jedoch auch anderen interessierten Studenten und Wissenschaftlern, vor allem des Wissenschafts-Campus Adlershof, angeboten. Neben der wissenschaftlichen Weiterbildung ermöglicht der Kurs den engen persönlichen Kontakt zwischen dem Vortragenden, einem in der Welt führendem Wissenschaftler, und unseren Kollegen und den anderen Hörern. Die Kursteilnehmer haben die einzigartige Möglichkeit, die Person des Vortragenden, seine Herangehensweise und seinen Blickwinkel "hautnah" zu erleben. Die in den letzten Jahren gewählte Form des Kurses hat sich für diese Zwecke als recht geeignet erwiesen und wurde deshalb wie in den Jahren zuvor beibehalten: Ein Vortragender hält im Laufe einer Woche jeweils an einem Tag eine Lektion, fünf insgesamt. Der Erfolg des Kurses hängt im Wesentlichen vom Vortragenden ab. Auch für dieses Jahr konnte, nach Jeff Derby (2006) und Alex Chernov (2007), wieder einer der prominentesten Wissenschaftler auf unserem Arbeitsgebiet als Referent gewonnen werden: Tatau Nishinaga, Professor emeritus der University of Tokyo, Präsident der Toyohashi University of Technology bis zu seiner Emeritierung im Jahre 2008, und "Past President" der Internationalen Organisation für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (IOCG). Es ist Ehre und Freude zugleich für das IKZ, dass Prof. Nishinaga, der sich im Jahr 2008 auf eigenen Wunsch hin für sechs Monate als "Scientist in Residence" am IKZ aufhält, unsere Einladung annahm, den IKZ-Sommerkurs 2008 zu halten. Es machte Freude, den gut vorbereiteten Vorträgen zu folgen, mit dem Vortragenden zu diskutieren und Professor Tatau Nishinaga als freundliche und bescheidene Persönlichkeit näher kennen lernen zu können. Dafür danken wir ihm herzlich. Nishinagas fünf Lektionen liefen unter der Generalüberschrift "Halbleiter als Modellmaterial zum Studium von Elementarmechanismen des Kristallwachstums und ihrem theoretischen Verständnis". Obwohl die Molekularstrahlepitaxie nicht im Mittelpunkt der Forschungsaktivitäten des IKZ steht, so ist sie doch ein exzellentes Werkzeug für die in situ Verfolgung der Elementarprozesse des Kristallwachstums. Ihre Ergebnisse können weitgehend auf alle Kristallwachstumsvorgänge übertragen werden. Daher lagen den Ausführungen Nishinagas vorwiegend Erkenntnisse zugrunde, die bei der Molekularstrahlepitaxie verschiedener III-V-Halbleiter gewonnen wurden.

Halbleiter als Modellmaterial zum Studium von Elementarmechanismen des Kristallwachstums und ihrem theoretischen Verständnis
  • Einführung
  • Molekularstrahlepitaxie als Werkzeug zum Verständnis elementarer Wachstumsvorgänge
  • Morphologische Stabilität von Oberflächen und Grenzflächen
  • Wachstumsinduzierte Inhomogenitäten des Störstelleneinbaus und ihre Ursachen
  • Verminderung der Versetzungsdichte mittels Microchannel-Epitaxie
  • Erzeugung von Mikrostrukturen mittels Kristallzüchtung