Die Sektion ist auf die Herstellung von Oxid- und Fluorideinkristallen spezialisiert. Diese werden als Substrate für ferroelektrische und oxidische elektronische Anwendungen sowie als optische, piezoelektrische oder Laserkomponenten verwendet. Unsere Kristalle dienen auch als Referenzproben für Materialien mit höchster struktureller Perfektion und Reinheit. Durch Kooperationen und Dienstleistungen für Unternehmen und Forschungseinrichtungen stellen wir die Materialbasis für viele Forschungsprojekte innerhalb und außerhalb des IKZ zur Verfügung.
In der Sektion entwickeln wir Substrate aus Oxidhalbleitern wie z.B. β-Ga2O3 sowie Oxidkristalle mit Perowskitstruktur z.B. für verspannte ferroelektrische Schichten oder dünne Filme mit neuen Funktionalitäten. Wir erforschen Oxid- und Fluoridkristalle für optische Anwendungen und Laser. Mit Hilfe der thermochemischen Analyse entwickeln wir maßgeschneiderte Wachstumstechniken, um das Kristallwachstum neuartiger Verbindungen zu ermöglichen.
Fluorid-Einkristalle sind Schlüsselkomponenten für eine Vielzahl von Photonik-Anwendungen, z.B. Lasermaterialien, optische Isolatoren sowie nichtlineare Frequenzwandler und optische Fenster im tiefen UV-Bereich. Optische Isolatoren aus Fluoriden können bei höheren Leistungen betrieben werden als Oxide. Sie sind auch ideal geeignet für die Festkörper-Laserkühlung (optische Kühlung), dabei werden feste Materialien durch Laseranregung unter Raumtemperatur abgekühlt.
Die Nachwuchsgruppe arbeitet insbesondere an der Schmelzzüchtung von hochwertigen mit Seltenerd-Ionen dotierten Fluorid-Einkristallen für die Laserkühlung. Dazu müssen die Bildung von Fremdphasen und Farbzentren verringert sowie die Sauerstoffkontamination und interne Spannungen minimiert werden. Durch eine Fluorierung der Ausgangsstoffe werden Kristalle höchster Reinheit hergestellt. Die anwendungsrelevanten Eigenschaften der gezüchteten Kristalle werden in Zusammenarbeit mit dem IKZ Zentrum für Lasermaterialien demonstriert.
L. Kotov, Y. Kaneda, S. Püschel, H. Tanaka, J. Hair, A. Nehrir, and V. Temyanko
Continuous-wave and Q-switched Tb:YLF lasers at 587 nm
Opt. Express 33, 3950 (2025)
DOI: 10.1364/OE.549208
S. Püschel, Z. Liestmann, S. Kalusniak, C. Kraenkel, A. Schulz, H. Traub, and H. Tanaka
Impact of Ho3+, Er3+, and Tm3+ on laser cooling of Yb:YLF
Opt. Mater. Express 14, 2334–2348 (2024)
DOI: 10.1364/OME.538215
H. Tanaka and S. Püschel
Monte Carlo fluorescence ray tracing simulation for laser cooling of solids
Opt. Express 32, 2306–2320 (2024)
DOI: 10.1364/OE.503250
S. Herr, H. Tanaka, I. Breunig, M. Bickermann, and F. Kuehnemann
Fanout periodic poling of BaMgF₄ crystals
Opt. Mater. Express 13, 2158–2164 (2023)
DOI: 10.1364/OME.492170
Fluorid-Einkristalle für Laser-Anwendungen
Unser Schwerpunkt liegt auf der Grundlagenforschung des magnetoelektrischen Effekts, wobei wir die Beziehung zwischen Kristallstruktur und magnetischer Ordnung untersuchen. Wir stellen hochwertige Proben für Studien zur Spinwellen-Dynamik zur Verfügung und versuchen, Materialien zu synthetisieren, die normalerweise nicht als Volumen-Einkristalle verfügbar sind.
Wir haben uns auf das Einkristallwachstum von Oxiden spezialisiert, die Eisen enthalten, wobei wir sowohl Lösungszüchtung als auch optische Floating-Zone-Techniken verwenden.
Dabei kommt es vor allem auf die Züchtungsumgebung, die Einflussfaktoren sowie die Züchtungs- und Abkühlgeschwindigkeit an. Das Verständnis und die Kontrolle der magnetischen Ordnung erfordern eine detaillierte Charakterisierung der chemischen Zusammensetzung und der strukturellen Parameter.
Mit der optischen Zonenschmelztechnik (links) gezüchtete Ferritkristalle (rechts)
Wir stellen transparente leitende oder halbleitende Oxid-Einkristalle her. Das Thema ist vor allem durch unsere Pionierarbeit zu 2" β-Ga2O3-Einkristallen (mittels Czochralski-Verfahren) und anderen binären Oxiden (In2O3, SnO2) bekannt. In den letzten Jahren haben wir Gallium-basierte Spinelle (MgGa2O4, ZnGa2O4), Bariumstannat (BaSnO3) und Lanthanindat (LaInO3) entwickelt. Substrate und dünne Filme aus diesen Kristallen ermöglichen neue Bauelementstrukturen z.B. in der Leistungs- und Optoelektronik, für Sensoren und ferrimagnetische Dünnschichten und als Szintillatormaterial.
Die Züchtung dieser Kristalle wird durch die Tendenz zur Zersetzung bei Temperaturen nahe dem Schmelzpunkt erschwert. Daher verwenden wir spezielle Züchtungsmethoden, setzen dynamische Gasatmosphären ein und erhöhen die Wachstumsstabilität, um große Kristallvolumina zu erhalten. Ein besonderer Schwerpunkt liegt auf der Kontrolle und Charakterisierung der elektrischen und optischen Eigenschaften in Abhängigkeit von Wachstums-, Dotierungs- und Temperbedingungen.
Angebot: Galliumoxid-Substrate und -Epi-Layer
Download Flyer: „Gallium Oxide – The Next High Performance Material for High Power Devices“
Z. Galazka, A. Fiedler, A. Popp, P. Seyidov, S. Bin Anooz, R. Blukis, J. Rehm, K. Tetzner, M. Pietsch, A. Dittmar, S. Ganschow, A. Akhtar, T. Remmele, M. Albrecht, T. Schulz, T.-S. Chou, A. Kwasniewski, M. Suendermann, T. Schroeder, M. Bickermann
Solid-Solution Limits and Thorough Characterization of Bulk 𝜷-(AlxGa1-x)2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method
Adv. Mater. Interfaces (2024) 2400122
DOI: 10.1002/admi.202400122
Z. Galazka, R. Blukis, A. Fiedler, S. Bin Anooz, J. Zhang, M. Albrecht, T. Remmele, T. Schulz, D. Klimm, M. Pietsch, A. Kwasniewski, A. Dittmar, S. Ganschow, U. Juda, K. Stolze, M. Suendermann, T. Schroeder, M. Bickermann
Bulk Single Crystals and Physical Properties of Rutile GeO2 for High-Power Electronics and Deep-Ultraviolet Optoelectronics
Phys. Status Solidi B (2024) 2400326
DOI: 10.1002/pssb.202400326
Z. Galazka
Growth of bulk β-Ga2O3 single crystals
Comprehensive Semiconductor Science and Technology 2nd Ed.”, Ed. R. Fornari, pp. 106-131, Elsevier (2025)
DOI: 10.1016/B978-0-323-96027-4.00006-1
TSO-Materialien; Links: Ga₂O₃; Mitte: In₂O₃; Rechts: SnO₂
Schwerpunkt ist die Entwicklung von neuen Volumenkristallen mit definierten Gitterparametern v.a. mit Perowskit-, Pyrochlor- oder Magnetoplumbitstruktur. In Form von präparierten Substraten sind sie essentielle Voraussetzung für neue, epitaktisch gewachsene Oxidschichten mit interessanten ferroelektrischen, supraleitenden, ferromagnetischen, piezoelektrischen, multiferroischen oder elektronischen Eigenschaften. Einige der Kristalle sind auch für optische Anwendungen attraktiv. Die meisten Verbindungen werden ausschließlich am IKZ für unsere Industrie- und Kooperationspartner gezüchtet.
Die Wachstumstemperatur liegt zumeist im Bereich zwischen 1500°C und 3000°C. Abhängig von den Materialeigenschaften bei den hohen Temperaturen und den Anforderungen an Strukturqualität und Reinheit werden die Kristalle mit tiegelbasierten oder tiegelfreien Methoden aus der Schmelze oder aus der Schmelzlösung gezüchtet. Herausforderungen sind unzureichender Wärmetransport, innere Spannungen in den Kristallen und Tiegelstabilität. Die Kristalle werden hinsichtlich ihrer strukturellen Qualität und chemischen Zusammensetzung untersucht.
Christo Guguschev, Carsten Richter, Mario Brützam, Kaspars Dadzis, Christian Hirschle, Thorsten M. Gesing, Michael Schulze, Albert Kwasniewski, Jürgen Schreuer, Darrell G. Schlom
Revisiting the Growth of Large (Mg,Zr):SrGa12O19 Single Crystals: Core Formation and Its Impact on Structural Homogeneity Revealed by Correlative X-ray Imaging
Crystal Growth & Design 22 (2022) 2557–2568
DOI: 10.1021/acs.cgd.2c00030
Christo Guguschev, Detlef Klimm, Mario Brützam, Thorsten M. Gesing, Mathias Gogolin, Hanjong Paik, Andrea Dittmar, Vincent J. Fratello, Darrell G. Schlom
Single crystal growth and characterization of Ba2ScNbO6 – A novel substrate for BaSnO3 films
J. Crystal Growth 528 (2019) 125263
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125263
Christo Guguschev, Julia Hidde, Thorsten M. Gesing, Mathias Gogolin, Detlef Klimm
Czochralski growth and characterization of TbxGd1−xScO3 and TbxDy1−xScO3 solid-solution single crystals
CrystEngComm 20 (2018) 2868–2876
DOI: 10.1039/C8CE00335A
Substratkristalle
Einzelne Einkristalle werden als Referenzmaterialien in verschiedenen Bereichen der Wissenschaft, z.B. Geologie, Materialwissenschaft, Festkörperchemie und Physik, benötigt. Forschungseinrichtungen, Unternehmen und Technologieunternehmen verwenden sie zur detaillierten Untersuchung, zur Demonstration des Anwendungspotenzials oder um daraus eine Produktion zu entwickeln. Wir können alle Materialien herstellen, die in unseren Kompetenzbereich fallen und die nicht kommerziell verfügbar sind.
Wir haben Erfahrung in der Kristallzüchtung verschiedener Verbindungen und stellen Kristalle von höchster Qualität und Reinheit her. Unsere Kernkompetenz ist die Kristallzüchtung aus der Schmelze bei hohen Temperaturen, aber wir können wir eine Vielzahl von Züchtungsmethoden anwenden. Bei der Charakterisierung der Kristalle hilft uns die hauseigene Abteilung. Je nach Ziel und Aufwand arbeiten wir im Rahmen einer Forschungszusammenarbeit, einer gemeinsamen Entwicklung oder auf Vollkostenbasis.
U. Bashir, K. Böttcher, D. Klimm, S. Ganschow, F. Bernhardt, S. Sanna, M. Rüsing, L.M. Eng, M. Bickermann
Solid solutions of lithium niobate and lithium tantalate: crystal growth and the ferroelectric transition
Ferroelectrics 613 (2023) 250-262
DOI: 10.1080/00150193.2023.2189842
V. Reisecker, F. Flatscher, L. Porz, C. Fincher, J. Todt, I. Hanghofer, V. Hennige, M. Linares-Moreau, P. Falcaro, S. Ganschow, S. Wenner, Y.M. Chiang, J. Keckes, J. Fleig, D. Rettenwander
Effect of pulse-current-based protocols on the lithium dendrite formation and evolution in all-solid-state batteries
Nature Communications 14 (2023) 2432
DOI: 10.1038/s41467-023-37476-y
Z. Chen, Y. Jiang, Y.T. Shao, M.E. Holtz, M. Odstrcil, M. Guizar-Sicairos, I. Hanke, S. Ganschow, D.G. Schlom, D.A. Muller
Electron ptychography achieves atomic-resolution limits set by lattice vibrations
Science 372 (2021) 826-831
DOI: 10.1126/science.abg2533
Züchtungshalle für Oxide am IKZ
Wir verwenden thermochemische und Elementanalysen, um festzustellen, wie ein bestimmtes Material am besten als Einkristall mit den gewünschten Eigenschaften gezüchtet werden kann. Ungleichmäßiges Schmelzen, Materialzersetzung oder instabile Metalloxidationszustände können durch die Erstellung geeigneter Phasendiagramme entschärft werden. Wir optimieren die Zusammensetzung der Ausgangsmaterialien für die jeweiligen Wachstumsmethoden und die Wachstumsatmosphäre. Nach dem Wachstum bestimmen wir die thermischen Eigenschaften und die chemische Zusammensetzung, um die Qualität zu überwachen und mit den Erwartungen zu vergleichen. Mit unserem Fachwissen unterstützen wir auch die anderen IKZ-Aktivitäten hinsichtlich ihrer Prozesstechnologien.
Die optimalen Kristallwachstumsbedingungen werden durch die Bestimmung des Phasendiagramms von binären oder ternären Systemen mit Differenz-Thermoanalyse (DTA), Dynamische Differenzkalorimetrie (DSC) und Thermogravimetrie (TG) in oxidierenden, reduzierenden oder inerten Atmosphären bis 2400 °C ermittelt. Die DTA-Analyse kann durch die Analyse des entstehenden Gases mit einem Quadrupol-Massenspektrometer ergänzt werden. Darüber hinaus setzen wir Röntgenbeugung und Wärmeleitfähigkeitsmessungen (Laser-Flash) ein und führen thermodynamische Berechnungen durch.
Wir führen auch Elementanalysen mit Hilfe der optischen Emissionsspektroskopie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-OES) (für die meisten Elemente verfügbar) sowie spezielle H-, C-, N-, O- und S-Analysen mit Inertgasanalysegeräten durch. Die Messungen sind ein wesentlicher Bestandteil der Qualitätsbeurteilung von Ausgangsmaterial und Endprodukt sowie der Überprüfung von Phasendiagrammen.
Z. Galazka, A. Fiedler, A. Popp, P. Seyidov, S. Bin Anooz, R. Blukis, J. Rehm, K. Tetzner, M. Pietsch, A. Dittmar, S. Ganschow, A. Akhtar, T. Remmele, M. Albrecht, T. Schulz, T.-S. Chou, A. Kwasniewski, M. Suendermann, T. Schroeder, M. Bickermann
Solid-Solution Limits and Thorough Characterization of Bulk 𝜷-(AlxGa1-x)2O3 Single Crystals Grown by the Czochralski Method
Adv. Mater. Interfaces (2024) 2400122
DOI: 10.1002/admi.202400122
U. Bashir, M. Rüsing, B. Koppitz, L. Eng, M. Bickermann, S. Ganschow
Thermal Conductivity in Solid Solutions of Lithium Niobate Tantalate Single Crystals from 300K up to 1300K
J. Alloys Compounds *1008* (2024) 176549
DOI: 10.1016/j.jallcom.2024.176549
Z. Galazka, R. Blukis, A. Fiedler, S. Bin Anooz, J. Zhang, M. Albrecht, T. Remmele, T. Schulz, D. Klimm, M. Pietsch, A. Kwasniewski, A. Dittmar, S. Ganschow, U. Juda, K. Stolze, M. Suendermann, T. Schroeder, M. Bickermann
Bulk Single Crystals and Physical Properties of Rutile GeO2 for High-Power Electronics and Deep-Ultraviolet Optoelectronics
Phys. Status Solidi B (2024) 2400326
DOI: 10.1002/pssb.202400326
Phasendiagramm einer Hexaferritverbindung und thermochemisches Labor mit DTA-Tiegeln (Nebenbild)